Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 707-710 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001503070700

Stoichiometry and doping in large gap compound semiconductors

J.C. Pfister<sup>1, 2

1</sup>  Centre d'Etudes Nucléaires de Grenoble, Département de Recherche Fondamentale, Section de Physique du Solide, 85X, 38041 Grenoble Cedex, France
²  Université Scientifique et Médicale de Grenoble

Abstract
Current theoretical models on self-compensation in large gap semiconductors assume that intrinsic stoichiometric defects dominate and explain electrical properties quite satisfactorily without any contribution from impurities. Some recent results show on the contrary that impurities are in fact dominant at least at room temperature. The paper, starting from one particular material (ZnTe), is an attempt to understand the real physico-chemistry of self-compensation and the reasons for the success of simplified theories assuming the crystal to be very pure.

Résumé
Les théories courantes sur l'autocompensation des semiconducteurs composés à large bande interdite (travaux de Kröger en particulier) qui font appel à l'intervention de défauts de stoechiométrie expliquent relativement bien les propriétés électriques sans intervention des impuretés. Un certain nombre de résultats récents montrent au contraire que celles-ci jouent en fait un rôle déterminant au moins à température ambiante. On tentera de comprendre qualitativement, à partir d'un matériau particulier (ZnTe), la physicochimie réelle de l'autocompensation et les raisons du succès apparent des théories simplifiées qui supposent le cristal pur.

PACS
6170W - Impurity concentration, distribution, and gradients.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.

Key words
defect electron energy states -- impurity electron states -- semiconductor doping -- zinc compounds -- doping -- large gap compound semiconductors -- intrinsic stoichiometric defects -- electrical properties -- impurities -- self compensation -- II VI semiconductors -- physicochemistry