Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 865-868 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001504086500

Recrystallization of silicon by pulsed lasers

J.C. Muller, C. Scharager, M. Toulemonde et P. Siffert

Centre de Recherches Nucléaires Groupe de Physique et Applications des Semiconducteurs (Phase) 67037 Strasbourg-Cedex, France

Abstract
Calculation of the evolution of temperature during pulsed laser annealing has been performed. The results are presented in directly useful figures for the two kinds of laser generally used (YAG, Ruby). The results are compared to various experimental measurements performed by RBS. If the crystallographic quality is quite good, TSC and DLTS measurements have shown that electrically active defects are still present after laser annealing.

Résumé
Dans une première partie de ce travail on a calculé l'évolution de la température d'un film de silicium amorphe déposé sur un cristal de même nature en fonction de la puissance d'irradiation pour un laser pulsé rubis ou YAG. Les résultats obtenus ont été confrontés à diverses expériences au cours desquelles la recristallisation de films amorphes par laser a été mesurée par rétrodiffusion Rutherford (RBS). Le recuit laser conduit à un cristal de bonne qualité, toutefois des dommages subsistent, ainsi que l'ont montré des expériences de TSC et DLTS.

PACS
6140 - Structure of amorphous and polymeric materials.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7920D - Laser surface impact phenomena.
8140G - Other heat and thermomechanical treatments.

Key words
epitaxial growth -- laser beam effects -- noncrystalline state structure -- recrystallisation annealing -- silicon -- thermally stimulated currents -- pulsed laser annealing -- TSC -- DLTS -- electrically active defects -- Si recrystallisation -- temperature evolution -- elemental semiconductors -- amorphous layers -- Rutherford backscattering