Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Numéro 5, mai 1980
Page(s) 937 - 940
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001505093700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 937-940 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001505093700

Influence of the bulk electrode on the characteristics and the channel noise of SOS-MOS transistors

D. Rigaud, A. Touboul, D. Sodini, J.C. Lopez et G. Lecoy

Centre d'Etudes d'Electronique des Solides , Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier Cedex, France


Abstract
The channel noise current spectral density of n-type enhancement SOS-MOS transistors versus the drain-source voltage VDs exhibits a peak not only for a floating bulk electrode but also when it is grounded. In the latter case, this peak appears at higher values of VDs. This suggests the kink effect which is now masked on the D.C. characteristics I D- V DS by a stronger multiplication. Theoretically we characterize this effect by means of an equivalent circuitry (electrical and noise) where the bulk electrode and the multiplication current generator associated with the drain space charge region are taken into account.


Résumé
L'evolution de la densité spectrale du courant de bruit du canal des transistors SOS-MOS (canal à inversion de type n) en fonction de la tension drain source met en évidence l'apparition d'une bosse, que le substrat du dispositif soit à un potentiel flottant ou mis à la masse. Dans ce dernier cas, cette bosse apparaissant à des tensions de drain plus élevées, suggère 1'existence d'un effet kink masqué sur la caractéristique courant drain-tension drain par la multiplication importante des porteurs. Cette étude est développée à partir de 1'analyse de schémas équivalents électriques et de bruit de fond des dispositifs où il est tenu compte de 1'electrode d'accès au substrat et du générateur de courant de multiplication associé à la charge d'espace dans la région drain.

PACS
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
electron device noise -- equivalent circuits -- insulated gate field effect transistors -- channel noise current spectral density -- n type enhancement -- floating bulk electrode -- kink effect -- DC characteristics -- multiplication current generator -- drain space charge -- grounded bulk electrode -- SOS MOS transistor -- drain source voltage -- equivalent circuit -- FET