Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Numéro 5, mai 1980
Page(s) 941 - 944
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001505094100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 941-944 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001505094100

On the influence of ionizing radiation on the electrical properties of short-channel MOS transistors

G. Sarrabayrouse1, M. Gamboa1, J. Buxo1, P. Rossel1, J.M. Charlot2 et M. Roumeguere2

1  Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes 7, avenue du Colonel-Roche, 31400 Toulouse, France
2  Commissariat à 1'Energie Atomique, Centre d'Etude de Bruyères le Châtel 92120 Montrouge, France


Abstract
The effect of ionizing radiation on the output conductance of a short-channel MOS transistor is examined. It appears that these effects are predominantly caused by the increase of the surface state density and that no noticeable effect due to the change of the carriers' saturation velocity has been detected.


Résumé
L'influence d'un rayonnement ionisant sur la conductance de sortie d'un transistor MOS à canal court est examinée. Les dégradations subies sont dues a la création de nouveaux états de surface à 1'interface SiO2-Si et non à une éventuelle modification de la vitesse limite des porteurs.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
insulated gate field effect transistors -- X ray effects -- ionizing radiation -- electrical properties -- output conductance -- surface state density -- carriers' saturation velocity -- short channel MOS transistor