Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 16, Numéro 1, janvier 1981
Page(s) 1 - 4
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 16, 1-4 (1981)
DOI: 10.1051/rphysap:019810016010100

Equilibrium calculations for VPE-InGaAsP

S. Franchi, C. Pelosi et G. Attolini

CNR-MASPEC Institute, Parma, Italy


Abstract
The heterogeneous equilibrium in the InGaAsP/HCl/H2 system has been studied at pressure and temperature conditions pertaining to the hydride-VPE growth. The results have been compared with the available experimental data on the growth of the above quaternary alloys lattice-matched to InP. A remarkably good agreement has been achieved with some existing data. Possible causes of discrepancies both between equilibrium and experimental results and between different experimental findings have been briefly discussed.


Résumé
L'équilibre hétérogène du système InGaAsP/HCl/H2 a été étudié dans un domaine de température et de pression caractéristiques de l'épitaxie en phase vapeur (EPV) par la méthode des hydrures. Les prévisions théoriques sont comparées aux données expérimentales pour la croissance d'alliages GaInAsP ayant la même maille cristalline que le substrat InP. Les résultats présentés sont en bon accord avec quelques données expérimentales. Quelques cas de désaccord entre résultats thermodynamiques et résultats expérimentaux ou entre différentes valeurs expérimentales sont également discutés.

PACS
6470 - Phase equilibria, phase transitions, and critical points.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
8130D - Phase diagrams of other materials.
0510D - Epitaxial growth.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- indium alloys -- phase equilibrium -- thermodynamics -- vapour phase epitaxial growth -- heterogeneous equilibrium -- InGaAsP -- hydride VPE growth -- quaternary alloys -- lattice matched -- InP -- vapour phase epitaxy