Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 16, Numéro 4, avril 1981
Page(s) 165 - 172
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01981001604016500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 16, 165-172 (1981)
DOI: 10.1051/rphysap:01981001604016500

Electrostatic analysis of backscattered heavy ions for semiconductor surface investigation

M. Hage-Ali et P. Siffert

Centre de Recherches Nucléaires, Groupe de Physique et Applications des Semiconducteurs (PHASE), 67037 Strasbourg Cedex, France


Abstract
The capabilities of Rutherford backscattering in surface analysis are limited by the energy resolution of the solid state detectors and their rapid degradation for heavier projectiles. Here, we investigate the possibilities of an electrostatic analyser (ESA) detecting heavy projectiles (7Li+, 12C +) backscattered from various compound semiconductor surfaces, essentially with respect to mass and depth resolution.


Résumé
Les possibilités d'analyse de surface par rétrodiffusion de particules chargées sont limitées, à l'heure actuelle, par la résolution limitée des détecteurs à semiconducteurs et par la dégradation rapide de leurs performances pour des projectiles lourds. Dans cet article, nous décrivons les possibilités offertes par un analyseur électrostatique, capable de détecter des ions lourds (7Li +, 12C+) pour l'analyse des surfaces de semiconducteurs composés. Un intérêt particulier est porté aux problèmes de résolution en masse et de résolution en profondeur.

PACS
2940P - Semiconductor detectors.
2970G - Energy loss and energy range relations in radiation measurement.
6820 - Solid surface structure.
7920N - Atom , molecule , and ion surface impact and interactions.

Key words
elemental semiconductors -- particle backscattering -- particle detectors -- Schottky effect -- silicon -- surface structure -- backscattered heavy ions -- semiconductor surface investigation -- Rutherford backscattering -- surface analysis -- energy resolution -- solid state detectors -- electrostatic analyser -- heavy projectiles -- sup 6 Li sup + -- sup 12 C sup + -- compound semiconductor surfaces -- depth resolution -- mass resolution -- Si detectors