Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 16, Numéro 6, juin 1981
Page(s) 317 - 322
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01981001606031700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 16, 317-322 (1981)
DOI: 10.1051/rphysap:01981001606031700

Comportement d'îlots de silicium épitaxié sur corindon (01.2)

S. Hamar-Thibault

Laboratoire de Thermodynamique et Physico-Chimie Métallurgiques , Institut National Polytechnique de Grenoble, E.N.S.E.E.G., B.P. 44, Domaine Universitaire, 38401 Saint Martin d'Hères, France


Abstract
Before coalescence from observations of silicon islands on sapphire (01.2), versus growth time and impingement rate on substrate, we analyse distribution of mean diameters. From the radial distribution function of the islands it is possible to suppose around each island a domain of influence larger than the mean diameter. This zone decreases, as the growth time increases, and the islands near the coalescence, behave as hard spheres. An activation energy of surface diffusion of silicon was calculated.


Résumé
L'examen d'îlots silicium sur corindon (01.2), avant coalescence, en fonction du temps, et de la vitesse de croissance, nous a permis de tracer la distribution des diamètres des îlots. Nous avons pu mettre en évidence à partir de la fonction de distribution radiale des îlots, une zone d'influence autour des cristallites. Cette zone décroît lorsque le dépôt augmente jusqu'à transformer à la coalescence les îlots en sphère dure. Un coefficient de diffusion superficiel du silicium a été calculé.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.

Key words
elemental semiconductors -- semiconductor epitaxial layers -- silicon -- surface diffusion -- sapphire -- coalescence -- growth time -- impingement rate -- substrate -- radial distribution function -- hard spheres -- activation energy -- Si islands -- epitaxial layer -- diameter distribution -- elemental semiconductor