Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 16, Numéro 9, septembre 1981
Page(s) 517 - 522
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01981001609051700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 16, 517-522 (1981)
DOI: 10.1051/rphysap:01981001609051700

Etude expérimentale des fluctuations de courant dans une diode à double base au voisinage de son point critique

J. Brini

Laboratoire de physique des composants à semiconducteurs , 23, rue des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France


Abstract
Fluctuations in the neighbourhood of the critical point of a double base diode are systematically investigated using two types of approach : constant current and constant interbase voltage. Spectra allow the separation of two phenomena : fluctuations announcing the growth of relaxation oscillations, and fluctuations related with the carriers transport in the semiconductor. The device length is shown to have a limiting role on the critical slowing down. Critical exponents are deduced for the variance and the lifetime of the fluctuations.


Résumé
Les fluctuations au voisinage du point critique du transistor unijonction sont étudiées systématiquement selon deux approches : à courant constant et à tension interbase constante. Les spectres permettent de différencier deux phénomènes : les fluctuations précédant l'apparition d'oscillations de relaxation, et les fluctuations liées au transport des porteurs dans le semiconducteur. Le rôle limitant de la longueur du barreau dans le ralentissement critique est mis en évidence. On donne également une estimation des exposants critiques concernant la variance et la durée de vie des fluctuations.

PACS
2560H - Junction and barrier diodes.
2560J - Bipolar transistors.

Key words
current fluctuations -- semiconductor diodes -- unijunction transistors -- constant current approach -- fluctuation lifetime -- constant interlease voltage approach -- relaxation oscillation growth -- critical exponents -- fluctuation variance -- unijunction transistor -- current fluctuation -- critical point -- double base diode -- carriers transport -- semiconductor -- device length