Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 16, Numéro 10, octobre 1981
Page(s) 597 - 599
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010059700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 16, 597-599 (1981)
DOI: 10.1051/rphysap:019810016010059700

Influence de la température sur la vitesse limite des trous dans un transistor MOS à canal court de type P

M. Gamboa, T. Phan Pham, H. Tranduc et P. Rossel

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, avenue du Colonel-Roche, 31400 Toulouse, France


Abstract
The temperature dependence of the saturation velocity in P short channel MOS transistor (111) is determined. It turns out that the dependence is exponential. It appears that this result is a general kind of evolution, independently of the carriers nature or the crystal orientation.


Résumé
On détermine pour la première fois, la variation de la vitesse de saturation des trous en fonction de la température dans un transistor MOS, à canal P, dont la surface est orientée (111). Il est montré que cette variation est du type exponentiel, ce qui semblerait être un mode d'évolution général indépendant de la nature des porteurs ou de l'orientation cristallographique.

PACS
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
insulated gate field effect transistors -- hole saturation velocity -- short channel MOS transistor -- temperature dependence -- carriers nature -- crystal orientation