Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 17, Numéro 12, décembre 1982
Page(s) 783 - 786
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019820017012078300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 17, 783-786 (1982)
DOI: 10.1051/rphysap:019820017012078300

A comparison between furnace and cw laser annealing of a-Si : evidence of different crystallization states

D. Bensahel, G. Auvert, Y. Pauleau et J.C. Pfister

CNET-CNS, BP. 42, 38240 Meylan, France


Abstract
Two states of crystallization of silicon can be obtained by cw laser annealing of amorphous material before melting temperature. Comparison between furnace and cw laser annealing of amorphous films give insights about the nucleation and growth process at high temperatures.


Résumé
Deux états de cristallisation du silicium sont obtenus par recuit laser en phase solide du matériau amorphe. La comparaison de ces résultats avec ceux fournis par le recuit thermique, type four, donne des renseignements sur le processus de nucléation-croissance à haute température.

PACS
6140 - Structure of amorphous and polymeric materials.
6180B - Ultraviolet, visible and infrared radiation effects.
7840F - Visible and ultraviolet spectra of tetrahedrally bonded nonmetals.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.
8130H - Constant composition solid solid phase transformations: polymorphic, massive, and order disorder.
8140G - Other heat and thermomechanical treatments.
2520F - Amorphous and glassy semiconductors.
2550E - Surface treatment semiconductor technology.

Key words
amorphous semiconductors -- annealing -- crystallisation -- laser beam annealing -- semiconductor thin films -- silicon -- furnace annealing -- semiconductors -- CW laser annealing -- a Si -- crystallization states -- amorphous material -- amorphous films -- nucleation -- growth