Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 487-493 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:01983001808048700

Détermination expérimentale des paramètres des transistors MOS

P. Rossel, H. Tranduc, J.L. Sanchez et A. Bellaouar

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, avenue du Colonel-Roche, 31400 Toulouse, France

Abstract
We present experimental methods to determine the MOS transistor parameters : effective channel. length, carrier mobility, mobility roll-off coefficient, series drain and source resistances. They are deduced from i) the output conductance measurement, at low drain bias, on a set of MOS transistors with different channel length, and ii) the comparison of the transfer characteristics in the normal and in the reverse configuration, i.e. by inversion of the drain and source electrodes.

Résumé
On propose des méthodes expérimentales propres à déterminer les paramètres des transistors MOS : longueur effective du canal, mobilité des porteurs, potentiel transversal de réduction de mobilité, résistances en série dans la source et le drain. Elles sont basées d'une part sur la mesure des conductances de sortie à faible tension drain-source effectuée sur des transistors MOS de même géométrie mais ayant des longueurs de canal différentes et, d'autre part, sur la comparaison des caractéristiques de transfert courant-tension en régime de non-pincement, en configuration normale et en configuration de source et drain inversés.

PACS
2560R - Insulated gate field effect transistors.
7310Z - Other electric variables measurement.

Key words
characteristics measurement -- insulated gate field effect transistors -- normal configuration -- MOS transistor parameters -- effective channel length -- carrier mobility -- mobility roll off coefficient -- series drain -- source resistances -- output conductance -- transfer characteristics -- reverse configuration