Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 557-560 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:01983001809055700

Passivation of intragrain defects by copper diffusion in p-type polycrystalline silicon

M. Zehaf, G. Mathian, C.M. Singal et S. Martinuzzi

Laboratoire de Photoélectricité, Faculté des Sciences et Techniques de Marseille, F 13397 Marseille Cedex 13, France

Abstract
In order to passivate structural defects which degrade electronic properties, copper was diffused in p-type Wacker polysilicon at low temperature (≤ 500 °C). Copper diffused samples exhibit homogeneous values of effective minority carrier diffusion lengths, which are practically as high as the higher values measured in the starting material. Light beam induced current scannings indicate that the grain responses are improved after copper diffusion while the grain boundary recombination activity is enhanced.

Résumé
Pour passiver les défauts cristallographiques dans du silicium polycristallin Wacker de type p, du cuivre a été diffusé à basse température (≤ 500 °C). Les échantillons ayant subi la diffusion de cuivre présentent des longueurs de diffusion effectives des porteurs minoritaires homogènes et aussi élevées que dans les meilleures régions des échantillons non traités. Les balayages photoélectriques montrent que la réponse des grains est améliorée après la diffusion de cuivre, tandis que l'activité recombinante des joints de grains est accrue.

PACS
6170N - Grain and twin boundaries.
6170T - Doping and implantation of impurities.
6630J - Diffusion, migration, and displacement of impurities in solids.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
2520C - Elemental semiconductors.
2550B - Semiconductor doping.

Key words
carrier lifetime -- copper -- diffusion in solids -- elemental semiconductors -- grain boundaries -- minority carriers -- semiconductor doping -- silicon -- intragrain defect passivation -- Si:Cu -- p type polycrystalline Si -- Wacker poly Si -- light beam induced current scannings -- semiconductors -- diffusional doping -- effective minority carrier diffusion lengths -- grain responses -- grain boundary recombination activity