Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 18, Numéro 11, novembre 1983
Page(s) 709 - 717
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019830018011070900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 709-717 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:019830018011070900

Electroréflexion et ellipsométrie spectroscopique d'hétérostructures InGaAsP/InP et GaAlAs/GaAs

C. Alibert1, Fan Jia Hua1, M. Erman2, P. Frijlink2, P. Jarry2 et J.B. Theeten2

1  Equipe de Micro-optoélectronique de Montpellier (E.M.2) , Université des Sciences et Techniques du Languedoc, place E. Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France
2  Laboratoire d'Electronique et de Physique Appliquée (L.E.P.), 3, avenue Descartes, 94450 Limeil-Brevannes, France


Abstract
Two complementary, non destructive and sensitive optical technics (electroreflectance and spectroscopic ellipsometry) are used to analysed semiconductor multilayers. Ultra thin layer of InP is detected on InGaAsP quaternary alloy. On stacked heterostructures with ultra thin layers, chemical compositions, thicknesses, interfaces quality, mechanical stresses and the mains optical transitions are determined. Electronic levels of a GaAs double quantum well in a GaAlAs matrix are measured by electroreflectance.


Résumé
On utilise deux techniques optiques sensibles non destructives et complémentaires : l'électroréflexion et l'ellipsométrie spectroscopique pour analyser des structures semiconductrices multicouches. On montre, sur un alliage quaternaire de GaInAsP, qu'il existe une bi-couche d'InP. Sur des empilements d'hétérostructures contenant des couches ultra-minces, on détermine la composition chimique des couches, les épaisseurs, la qualité des interfaces, les contraintes mécaniques et les principales transitions optiques. On mesure par électroréflexion les niveaux électroniques d'un double puits quantique de GaAs dans une matrice de GaAlAs.

PACS
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
7820J - Electro optical effects condensed matter.

Key words
aluminium compounds -- ellipsometry -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- indium compounds -- semiconductor junctions -- InGaAsP InP -- electronic levels -- chemical compositions -- GaAlAs GaAs GaAs heterostructures -- optical techniques -- electroreflectance -- spectroscopic ellipsometry -- semiconductor multilayers -- quaternary alloy -- interfaces quality -- mechanical stresses -- optical transitions -- GaAs double quantum well -- GaAlAs matrix