Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 19, Numéro 2, février 1984
Page(s) 63 - 67
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0198400190206300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 63-67 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:0198400190206300

Caractérisation en bruit des photodiodes P.I.N. Hg1-x Cdx Te à λ = 1,3 μm

B. Orsal1, R. Alabedra1, C. Maille1, C. Boisrobert2, D. Morvan2, J. Meslage3 et G. Pichard3

1  C.E.M., Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier Cedex, France
2  CNET-I.C.M.-TOM, B.P. 40, Lannion, 22301 Lannion, France
3  Société Anonyme de Télécommunication, 41, rue Cantagrel, 75624 Paris, France


Abstract
The purpose of this paper is the characterization of P.I.N. Hg1- xCdxTe photodiodes at λ = 1.3 μm by measurements of 1/f noise. The devices are manufactured for optical transmission systems at λ = 1.3 μm. 1/f noise measurements are presented for two generations of photodiodes of different contact technology. At obscurity the current is determined by generation-recombination (G.R.) at low reverse biased. The 1/f noise is interpreted by Kleinpenning's model. The values of Hooge's constant deduced of noise measurements are comprised between 10-4 and 10 -3. Those results show that devices are homogeneous and there is no difference between the two technologies. On the other hand, the noise of photocurrent and the values of the corner frequency fc between of white noise and 1/f noise show that the quality of contacts of second generation devices is better that the first generation.


Résumé
L'objet de ce travail est la caractérisation des photodétecteurs P.I.N. à Hg1-xCdxTe par des mesures de bruit. Ces photodétecteurs sont réalisés pour fonctionner à la longueur d'onde λ = 1,3 μm pour les télécommunications par fibres optiques. On montrera pour deux générations de composants de technologie de contact différente que le bruit en 1/ f à faible polarisation inverse à l'obscurité est dû au courant G.R. de la diode. Les valeurs de la constante empirique « α » de Hooge déterminées à partir des mesures de bruit sont comprises entre 10-4 et 10 -3, ce qui montre que les dispositifs sont homogènes et qu'il n'y a pas de différence marquée entre les 2 technologies. Par contre, l'analyse du bruit du photocourant et la détermination de la fréquence de coupure fc entre le bruit de Grenaille et le bruit en 1/f montrent que la qualité des contacts des photodiodes de 2e génération est meilleure que celle obtenue sur les diodes de 1re génération.

PACS
2520D - II VI and III V semiconductors.
2560H - Junction and barrier diodes.
4250 - Photoelectric devices.

Key words
cadmium compounds -- electron device noise -- II VI semiconductors -- mercury compounds -- photodiodes -- random noise -- characterization -- PIN Hg sub 1 x Cd sub x Te photodiodes -- 1 f noise -- optical transmission systems -- generation recombination -- Kleinpenning's model -- Hooge's constant -- photocurrent