Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 191-195 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:01984001903019100

Couches de haute résistivité dans InP obtenues par implantation ionique

P.N. Favennec, H. L'Haridon, M. Salvi et M. Gauneau

Division ICM/TOH, CNET-Lannion B, 22301 Lannion Cedex, France

Abstract
Various ions (H+, B+, O+, Ne+, A+, Fe+) have been implanted in n-type InP for studying the conditions to obtain high resistivity layers. For unannealed samples, the shape of the resistivity variation versus the ion dose is independent of the ion nature. The compensation efficiency of the ions is shown to be dependent of the ion mass. The defects responsible of the high resistivity are totally annealed at 650 °C. Oxygen and boron ions seem inactive in InP after annealing of high temperature. Iron implantations entrain a formation of high resistivity layers (e ≳ 107 Ω cm) after an anneal at high temperature, but this high resistivity should not be due, solely, to the iron impurity.

Résumé
Des ions de différentes natures (H+, B+, O+ , Ne+, A+, Fe+) ont été implantés dans l'InP de type n pour étudier les conditions d'obtention de couches de haute résistivité. Quel que soit l'ion incident, et pour de l'InP recuit, la résistivité varie de la même manière en fonction de la concentration d'ions implantés. L'efficacité de compensation des ions est montrée être dépendante de leur masse. Une température de recuit de 650 °C est nécessaire pour recuire les défauts d'implantation responsables de la compensation. Les ions d'oxygène et bore semblent inactifs dans le matériau InP après recuit à haute température. Par contre, l'implantation de fer entraîne la formation de couches de haute résistivité (e ≳ 107 Ω cm) après recuit à haute température, mais cette haute résistivité ne serait pas uniquement due à l'impureté fer.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
6180J - Ion beam effects.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2550B - Semiconductor doping.

Key words
annealing -- argon -- boron -- electronic conduction in crystalline semiconductor thin films -- hydrogen ions -- indium compounds -- ion beam effects -- ion implantation -- iron -- neon -- oxygen -- InP:H sup + -- InP:B sup + -- InP:O sup + -- InP:Ne sup + -- InP:Ar sup + -- InP:Fe sup + -- III V semiconductors -- high resistivity layers -- compensation efficiency -- annealing