Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 19, Numéro 4, avril 1984
Page(s) 325 - 331
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904032500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 325-331 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:01984001904032500

Etude des propriétés électriques des structures métal-polysiloxane-nGaAs

Y. Segui, B. Moret et D. Montalan

Laboratoire de Génie Electrique, 118, route de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex, France


Abstract
It is shown that plasma deposited polysiloxane films on GaAs substrate at room temperature can be considered as a possible candidate for the passivation of GaAs devices. The study of transport phenomena shows that the polysiloxane films exhibit very good insulating properties up to electric field as high as 5 x 106 V/cm. The electrical properties of the interface polysiloxane-GaAs are characterized by a U shaped distribution of interface states in the gap. The minimum value of the distribution is found to be 1012 cm -2 eV-1. These structures are stable under the effects of 80 % of relative humidity and 1.3 x 106 V/cm applied to the gate.


Résumé
On montre que les films de polysiloxane déposés à température ambiante par plasma réactif sur des substrats de GaAs sont une alternative possible pour la passivation des composants à base de GaAs. L'étude des phénomènes de transport montre qu'il s'agit d'un excellent isolant jusqu'à des champs de 5 x 106 V/cm. Les propriétés de l'interface polysiloxane-GaAs sont caractérisées par une distribution en U des états de surface avec un minimum situé à 1012 cm-2 eV-1. Les structures étudiées ont une bonne stabilité sous humidité relative de 80 % et un champ continu appliqué de 1,3 x 106 V/cm.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- interface electron states -- metal insulator semiconductor structures -- polymer films -- metal polysiloxane nGaAs structures -- plasma deposited polysiloxane films -- GaAs substrate -- passivation -- transport phenomena -- insulating properties -- electrical properties -- U shaped distribution -- interface states -- gap