Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 987-995 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:019840019012098700

Présentation et validation du programme OSIRIS de simulation bidimensionnelle des processus technologiques

N. Guillemot¹, P. Chenevier¹, P. Deroux-Dauphin² et J.P. Gonchond<sup>3

1</sup>  Laboratoire de Physique des Composants à semiconducteurs, ENSERG, 23, rue des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France
²  THOMSON-EFCIS, rue des Martyrs, BP 127, 38019 Grenoble Cedex, France
³  CNET-CNS, Chemin du Vieux-Chêne, BP 398, 38243 Meylan, France

Abstract
In the present paper, the two-dimensional process simulator OSIRIS is described. The models used for ion-implantation, oxide growth and redistribution of dopants are developed. Then the numerical method of finite differences used to solve the diffusion equation is discussed. Finally a comparison between boron simulated profiles and two-dimensional experimental data obtained by EBIC measurements is given.

Résumé
Nous présentons le programme bidimensionnel de simulation des processus technologiques, OSIRIS. Les modèles utilisés pour l'implantation ionique, la croissance d'oxyde et la redistribution des dopants sont d'abord développés. Nous décrivons d'autre part la méthode de résolution de l'équation de diffusion par différences finies. Pour terminer, une comparaison est faite entre des profils de bore obtenus par simulation et des profils expérimentaux à deux dimensions mesurés par EBIC.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
2550B - Semiconductor doping.
7320 - Physics and chemistry computing.

Key words
physics computing -- semiconductor doping -- dopant redistribution -- two dimensional process simulator OSIRIS -- ion implantation -- oxide growth