Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 20, Numéro 1, janvier 1985
Page(s) 13 - 22
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0198500200101300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 13-22 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:0198500200101300

Interaction onde électromagnétique/flux de porteurs dans une structure mixte ferrite-semiconducteur

M. Baribaud et D. Rauly

Laboratoire d'Electromagnétisme, Circuits micro-ondes, E.R.A. 1014, E.N.S.E.R.G. 23, rue des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France


Abstract
Electromagnetic wave-carrier wave interaction has been studied in a ferrite-semiconductor structure : in solid medium, the electromagnetic wave is propagated in the ferrite and the carriers were drift in the semiconductor. In the first part a qualitative study of the wave-carrier interaction determines the amplification possibilities. The second part, from the Briggs instability criterium, states precisely the device behaviour and the optimal working conditions in infinite dimension structure. In the finite dimension case, a selective X band amplifier behaviour can be considered.


Résumé
L'interaction cumulative d'une onde électromagnétique avec un flux de porteurs a été étudiée dans une structure mixte ferrite-semiconducteur : en milieu solide, l'onde se propage dans la lame de ferrite alors que les porteurs sont entraînés dans le semiconducteur. Une première étude, qualitative, du mécanisme de l'interaction onde-porteurs détermine les possibilités de l'amplification. La deuxième partie, à l'aide du critère de Briggs, permet de préciser le comportement du dispositif et les conditions optimales de fonctionnement dans une structure de dimensions infinies. Dans le cas de dimensions finies, un comportement d'amplificateur sélectif en bande X est envisageable.

PACS
7136 - Polaritons.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.

Key words
electromagnetic wave propagation -- ferrites -- polaritons -- semiconductor insulator boundaries -- ferrite semiconductor structure -- electromagnetic wave carrier wave interaction -- drift -- amplification -- Briggs instability criterium -- device behaviour -- optimal working conditions -- selective X band amplifier behaviour