Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 20, Numéro 2, février 1985
Page(s) 87 - 91
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0198500200208700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 87-91 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:0198500200208700

Homogénéité d'épaisseur et propriétés électriques des couches minces de silice obtenues dans un mélange N2/O2/HCl

G. Sarrabayrouse et J. Capilla

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du Centre National de la Recherche Scientifique, 7, avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France


Abstract
The homogeneity over the wafer of the thickness of very thin silica layers obtained under low partial pressure in a mixture O2/HCl/N2 as well as the electrical properties of the layers are examined. It is shown that the chlorine content increases the homogeneity of the thickness and the reproductibility of the electrical properties.


Résumé
L'homogénéité de l'épaisseur et les propriétés électriques de couches de silice obtenues sous pression partielle dans un mélange O2/HCl/N2 sont examinées. La présence de HCl accroît l'homogénéité des caractéristiques électriques.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7360H - Electrical properties of insulators thin films/low dimensional structures.

Key words
electronic conduction in insulating thin films -- insulating thin films -- silicon compounds -- SiO sub 2 -- electrical properties -- thin silica layers -- homogeneity -- wafer -- thickness -- reproducibility