Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 20, Numéro 7, juillet 1985
Page(s) 449 - 455
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01985002007044900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 449-455 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:01985002007044900

T.E.M. image of dissociated dislocation dipoles in CdTe

A. Orlova, J.P. Rivière et J. Castaing

Laboratoire de Physique des Matériaux, C.N.R.S.,1, place A. Briand; 92195 Meudon Cedex, France


Abstract
We have studied by T.E.M. several dislocations dissociated according to : ± b = a/2 <110> → a/6 < 211 > + a/6 < 121 > which were observed in CdTe deformed at room temperature [4]. This work is dedicated to describe the case of a dipole of dissociated dislocations; it intends to 1) check the use of a method to analyse the images of dissociated dislocations formed in kinematic contrast [2], 2) emphasize the influence of the thin foil surfaces on the dissociation equilibrium and estimate its magnitude in view of the ductility of CdTe. This seems to be at the origin of the scatter of the stacking fault energy values γ {111}, a/6 < 211 > displayed in the literature [4, 5].


Résumé
Nous avons étudié au moyen du microscope électronique en transmission, de nombreuses dislocations dissociées selon ± b = a/2 < 110 > → a/6 <211> + a/6 < 121 > observées dans le CdTe déformé à la température ambiante [4]. Dans le présent travail nous traitons plus particulièrement le cas d'un dipôle de dislocations dissociées afin : 1) de tester l'efficacité d'une méthode de dépouillement des images de dislocations dissociées en contraste cinématique [2], 2) de souligner et d'evaluer l'influence des surfaces de la lame mince sur l'équilibre de la dissociation, le CdTe étant ductile. On trouve dans cet effet l'une des causes de la dispersion des mesures de l'énergie de faute d'empilement γ { 111 }, a/6 < 211 > observée dans la littérature [4, 5].

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6170P - Stacking faults, stacking fault tetrahedra and other planar or extended defects.

Key words
cadmium compounds -- dislocation dipoles -- ductility -- II VI semiconductors -- stacking faults -- transmission electron microscope examination of materials -- TEM -- semiconductors -- dissociated dislocation dipoles -- CdTe -- thin foil surfaces -- dissociation equilibrium -- stacking fault energy