Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Numéro 1, janvier 1987
Page(s) 15 - 19
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0198700220101500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 15-19 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:0198700220101500

Power supply constraints in megabit DRAMs of the future

K. Itoh et K. Kimura

Central Research Lab., Hitachi Ltd, Kokubunji, Tokyo 185, Japan


Abstract
Megabit DRAM power supply is described in terms of power dissipation, reliability for small transistors, and memory cell operating margin. Such recently developed 1 Mb techniques as CMOS and vertically structured memory cells are discussed. It is concluded that, in spite of CMOS advantage, a transition from the existing supply voltage of 5 V might occur at the 16 Mb level.


Résumé
La densité des mémoires DRAM a été multipliée par quatre tous les trois ans. Le développement des mémoires 1 Mb est d'ores et déjà très avancé. L'évolution de l'alimentation est donc d'importance capitale étant donné les réductions des dimensions qui sont intervenues.

PACS
1210 - Power electronics, supply and supervisory circuits.
1265D - Memory circuits.
5150 - Other circuits for digital computers.

Key words
power supply circuits -- random access storage -- megabit DRAM power supply -- power dissipation -- reliability -- memory cell operating margin -- CMOS -- vertically structured memory cells -- 5 V -- 1 MByte -- 16 MByte