Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Numéro 6, juin 1987
Page(s) 465 - 468
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002206046500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 465-468 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002206046500

Observation de super-réseaux CdTe-HgTe par microscopie électronique en transmission

L. Di Cioccio, A. Million, J.P. Gailliard et M. Dupuy

Commissariat à l'Energie Atomique, Institut de Recherche et Développement Industriel, Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Informatique, BP 85 X, CEN, 38041 Grenoble, France


Abstract
High resolution transmission electron microscopy is used for CdTe-HgTe superlattices observation. Defects, such as stacking faults, impurity segregation and dislocations are observed.


Résumé
La microscopie électronique en transmission est utilisée pour la visualisation de super-réseaux CdTe-HgTe. Des défauts tels que défauts d'empilement, ségrégation d'impuretés et dislocations sont observés.

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6170P - Stacking faults, stacking fault tetrahedra and other planar or extended defects.

Key words
cadmium alloys -- mercury alloys -- segregation -- superlattices -- tellurium alloys -- transmission electron microscope examination of materials -- transmission electron microscopy -- stacking faults -- impurity segregation -- dislocations -- CdTe HgTe superlattice