Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Numéro 7, juillet 1987
Page(s) 515 - 518
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207051500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 515-518 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002207051500

Czochralski growth of silicon bicrystals

J.J. Aubert1 et J.J. Bacmann2

1  CEA, IRDI, LETI, 85 X, 38041 Grenoble Cedex, France
2  CEA, IRDI, DMECN, DMG, 85 X, 38041 Grenoble Cedex, France


Abstract
Utilization of polycrystalline silicon for solar cell applications poses the problem of the effects of grain boundaries on the electronic properties of this type of material: preferential impurity diffusion at the boundary, electrical properties of the boundary in relation to the existence of dangling bonds and impurities. Silicon bicrystals, where the interface between two adjacent grains can be well defined, have been grown to study the properties of the grain boundaries. Such specimens have been realized by the Czochralski growth technique with p-type and n-type silicon.


Résumé
L'utilisation du silicium polycristallin pour les cellules solaires pose le problème de l'effet des joints de grains sur les propriétés électroniques de ce type de matériau : diffusion des impuretés aux joints de grains, propriétés électriques du joint en relation avec l'existence de liaisons pendantes et d'impuretés. Des bicristaux de silicium où l'interface entre deux grains voisins peut être parfaitement définie ont été préparés pour étudier les propriétés des joints de grains. Les échantillons ont été obtenus par la méthode de Czochralski avec du silicium du type p et du type n.

PACS
6170N - Grain and twin boundaries.
6848 - Solid solid interfaces.
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520C - Elemental semiconductors.

Key words
crystal growth from melt -- elemental semiconductors -- semiconductor growth -- silicon -- semiconductor -- Czochralski growth -- bicrystals -- polycrystalline -- solar cell applications -- grain boundaries -- electronic properties -- preferential impurity diffusion -- electrical properties -- dangling bonds -- impurities -- p type -- n type -- Si