Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Numéro 7, juillet 1987
Page(s) 535 - 547
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207053500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 535-547 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002207053500

Le silicium polycristallin Polix : élaboration, propriétés et performances

G. Nouet, P. Lay et J.L. Chermant

Laboratoire de Cristallographie, Chimie et Physique des Solides, U.A. 251 CNRS-ISMRa, Université, 14032 Caen Cedex, France


Abstract
Polycrystalline silicon ingots are grown by unidirectional solidification. An encapsulant is used to prevent impurities of the crucible from diffusing into the liquid bath. The influence of thermal, physical parameters on the photovoltaic properties of solar cells are controlled by morphological, structural, chemical analysis. Photovoltaic efficiency equal to 11 % is obtained after optimizing. Lower-grade silicon can be used provided that some specifications are respected.


Résumé
Les lingots de silicium polycristallin sont préparés par solidification unidirectionnelle, l'originalité de la méthode est due à l'utilisation d'un encapsulant qui agit comme une barrière entre le creuset et le bain liquide. L'analyse de la morphologie et des caractéristiques structurales, ainsi que l'analyse chimique ont permis de suivre l'influence des différents paramètres sur les propriétés photovoltaïques des cellules solaires. Leur optimisation a donné des rendements photovoltaïques de 11 %. Les conditions d'utilisation de silicium de qualité moindre sont définies.

PACS
6470D - Solid liquid transitions.
8110F - Crystal growth from melt.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
0510 - Crystal growth.
2520C - Elemental semiconductors.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
crystal growth from melt -- directional solidification -- elemental semiconductors -- photovoltaic effects -- semiconductor growth -- silicon -- semiconductor -- structural analysis -- morphological analysis -- polycrystalline ingots -- Polyx Si -- growth -- unidirectional solidification -- encapsulant -- impurities -- photovoltaic properties -- solar cells -- chemical analysis -- efficiency -- 11 percent -- Si