Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Numéro 7, juillet 1987
|
|
---|---|---|
Page(s) | 563 - 568 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207056300 |
DOI: 10.1051/rphysap:01987002207056300
Atomic structure of grain boundaries in semiconductors
A. Bourret1 et J.J. Bacmann21 IRF, DRF, Service de Physique, Groupe Structures
2 IRDI, DMECN, Département de Métallurgie, SRM, CEN Grenoble, 85 X, 38041 Grenoble Cedex, France
Abstract
This paper summarizes the electron microscope observations (high resolution, diffraction and α-fringes) on germanium bicrystals. Observed structures were found isomorphous to those of silicon. They tend to form a 2D-periodic medium with eventually additional linear defects. In pure tilt <011> grain boundaries the tetrahedral coordination is always restored by dangling bond reconstruction. The electrical activity of such grain boundaries can therefore only be due to point defects (intrinsic defects or impurities).
Résumé
Cet article résume l'ensemble des observations en microscopie électronique (haute résolution, diffraction et franges-α) sur les bicristaux de germanium. Les structures observées sont totalement isomorphes à celles qui existent dans le silicium. Elles tendent à former des arrangements bidimensionnels périodiques sur lesquels se superposent éventuellement des défauts linéaires. Sur les joints de flexion <011> il a été montré que l'environnement des atomes reste toujours tetraédrique par reconstruction des liaisons pendantes. L'activité électrique éventuelle de ces joints ne peut donc venir que de défauts ponctuels (intrinsèques ou impuretés).
6170B - Interstitials and vacancies.
6170N - Grain and twin boundaries.
6848 - Solid solid interfaces.
Key words
electron diffraction examination of materials -- electron microscope examination of materials -- elemental semiconductors -- germanium -- tilt boundaries -- semiconductor -- electron diffraction -- atomic structure -- grain boundaries -- semiconductors -- electron microscope observations -- high resolution -- alpha fringes -- bicrystals -- 2D periodic medium -- linear defects -- pure tilt <011> grain boundaries -- tetrahedral coordination -- dangling bond reconstruction -- electrical activity -- point defects -- intrinsic defects -- impurities -- Ge