Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Numéro 7, juillet 1987
Page(s) 591 - 595
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207059100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 591-595 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002207059100

Origine structurale et chimique de l'activité électrique des joints de grains dans le silicium

A. Rocher

Laboratoire d'Optique Electronique du CNRS, 29, rue Jeanne-Marvig, 31400 Toulouse, France


Abstract
This paper forms a final report on our studies on grain boundaries in silicon by electron microscope techniques TEM and SEM/EBIC. The main result is that the crystalline structure is not the main agent of the grain boundary electrical properties. A crystalline defect acts firstly on the diffusion and segregation of impurities. This entity has its own electrical properties.


Résumé
Cet article présente un bilan des études que nous avons menées sur les joints de grains dans le silicium par microscopie électronique en transmission et à balayage (SEM/EBIC). Le principal résultat est que la structure cristalline ne gouverne, en général, pas seule les propriétés électriques des joints. Un défaut cristallin agit d'abord sur les phénomènes de diffusion et de ségrégation d'impuretés. L'ensemble a alors ses propres propriétés électriques.

PACS
6170N - Grain and twin boundaries.
6180F - Electron and positron effects.
6475 - Solubility, segregation, and mixing.
6630J - Diffusion, migration, and displacement of impurities in solids.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.

Key words
defect electron energy states -- diffusion in solids -- EBIC -- elemental semiconductors -- impurities -- scanning electron microscope examination of materials -- segregation -- silicon -- transmission electron microscope examination of materials -- semiconductor -- electrical activity -- grain boundaries -- electron microscope techniques -- TEM -- SEM EBIC -- grain boundary electrical properties -- crystalline defect -- diffusion -- Si