Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Numéro 7, juillet 1987
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Page(s) | 613 - 621 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207061300 |
DOI: 10.1051/rphysap:01987002207061300
On the origin of the electrical activity in silicon grain boundaries
J.-L. MauriceC.N.R.S., Laboratoire de Physique des Matériaux, 1, place Aristide-Briand, 92195 Meudon Cedex, France
Abstract
Grain boundaries in silicon are traps for both types of charge carriers. This electrical activity is related to deep levels in the forbidden energy gap, which may have two origins : chemical and extrinsic or structural and intrinsic. Present knowledge on planar symmetric grain boundaries, which are fully reconstructed, induces an extrinsic origin of these levels. However, dangling bonds detected in general grain boundaries indicate that an intrinsic origin of the electrical activity is still possible.
Résumé
Les joints de grains dans le silicium sont des pièges pour les porteurs de charge des deux types. Cette activité électrique est reliée à la présence de niveaux profonds dans la bande interdite, qui peuvent être d'origine chimique et extrinsèque ou structurale et intrinsèque. Les connaissances actuelles sur les joints plans symétriques, entièrement reconstruits, impliquent une origine extrinsèque pour ces niveaux. Cependant la détection de liaisons pendantes dans les joints généraux indique qu'une origine intrinsèque de l'activité électrique reste possible.
6170N - Grain and twin boundaries.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
Key words
defect electron energy states -- elemental semiconductors -- silicon -- semiconductor -- electrical activity -- grain boundaries -- charge carriers -- deep levels -- forbidden energy gap -- extrinsic -- intrinsic -- planar symmetric grain boundaries -- dangling bonds -- Si