Etude des structures MIS sur InP réalisées avec une double couche anodique

E. Jalaguier; J. Joseph; Y. Robach; E. Bergignat; G. Hollinger

doi:doi:10.1051/rphysap:01987002208088500

Numéro		Rev. Phys. Appl. (Paris) Volume 22, Numéro 8, août 1987


Page(s)		885 - 890
DOI		https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208088500

Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 885-890 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002208088500

Etude des structures MIS sur InP réalisées avec une double couche anodique

E. Jalaguier, J. Joseph, Y. Robach, E. Bergignat^{1, 2} et G. Hollinger^{1, 2}

¹ Laboratoire de Physicochimie des Interfaces, UA CNRS 404, Ecole Centrale de Lyon, 69131 Ecully Cedex, France
² Laboratoire d'Electronique UA CNRS 848, Ecole Centrale de Lyon, 69131 Ecully Cedex, France

Abstract
High quality InP MISFET's with Al2O3/native oxide double layer as gate insulator have been reported. In this paper, the oxide growth law of the double layer and the chemical composition of the interfacial oxyde are studied using ellipsometry and XPS. The native oxide is found to be very similar to In(PO3)3. Capacitance-voltage measurements revealed that the thickness of this interfacial oxide must be thicker than 5 nm to obtain the best electrical properties for the interface.

Résumé
Des composants MISFET de bonne qualité sont obtenus avec une double couche alumine-oxyde natif comme isolant de grille. Dans cet article, la loi de croissance de ces deux couches et la composition chimique de l'oxyde interfacial sont étudiées par ellipsométrie et XPS. L'oxyde natif est très proche de In (PO3)3. La comparaison des courbes capacité-tension montre que l'oxyde interfacial doit être plus épais que 5 nm pour obtenir de bonnes propriétés électriques.

PACS
6848 - Solid solid interfaces.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
8160C - Surface treatment and degradation in semiconductor technology.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.
2550E - Surface treatment semiconductor technology.

Key words
anodised layers -- III V semiconductors -- indium compounds -- metal insulator semiconductor structures -- X ray photoelectron spectra -- semiconductor -- native oxide -- MISFET -- capacitance voltage measurements -- MIS structures -- anodic double layers -- gate insulator -- chemical composition -- ellipsometry -- XPS -- electrical properties -- interface -- InP In PO sub 3 sub 3 Al sub 2 O sub 3