Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 891-895 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002208089100

On the identification of the double donor state of EL2 in p type GaAs

A. Bencherifa¹, G. Brémond¹, A. Nouailhat¹, G. Guillot¹, A. Guivarc'h² et A. Regreny<sup>2

1</sup>  INSA de Lyon, Laboratoire de Physique de la Matière, Bât. 502, 20, avenue Albert-Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France
²  CNET Lannion B, ICM/MPA, 22301 Lannion, France

Abstract
Combining deep level transient spectroscopy (DLTS), deep level optical spectroscopy (DLOS), optical DLTS (ODLTS) and thermally stimulated capacitance (TSCAP) on p type LEC GaAs we have shown that: i) this material contains a native hole trap HM1 at Ev + 0.52 eV which does not exist in crystals grown under Ga-rich conditions ; ii) a minority carrier trap is detected at Ec - 0.82 eV with the same concentration ; this level is shown to be the electron trap EL2 ; iii) on the basis of photocapacitance and TSCAP measurements it is demonstrated that HM1 is the double donor state (++/+) of EL2.

Résumé
En combinant des expériences de DLTS, DLOS, ODLTS et TSCAP sur des matériaux GaAs LEC de type p, nous avons montré que : i) ce matériau contient un défaut natif HM1 à Ev + 0,52 eV qui n'existe pas dans les cristaux élaborés dans des conditions riches en Ga ; ii) un piège à porteur minoritaire est détecté à Ec - 0,82 eV avec la même concentration ; nous avons montré que ce défaut est le niveau EL2 ; iii) à partir d'expériences de photocapacité et de TSCAP, nous démontrons que HM1 est l'état double donneur (++/+) de EL2.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.

Key words
deep level transient spectroscopy -- electron traps -- gallium arsenide -- hole traps -- III V semiconductors -- thermally stimulated currents -- semiconductor -- EL2 -- deep level optical spectroscopy -- optical DLTS -- thermally stimulated capacitance -- LEC -- native hole trap -- HM1 -- minority carrier trap -- electron trap -- photocapacitance -- double donor state -- p type GaAs