Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 985-989 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002209098500

Computer simulation study of the effect of semiconductor deep bulk levels on the capacitance-voltage characteristics of InSb MIS structures

K.G. Germanova et E.P. Valcheva

Solid State Physics Department, Sofia University, 1126 Sofia, Bulgaria

Abstract
The influence of semiconductor deep bulk levels on the space-charge layer (SCL) properties in InSb MIS structures is investigated. Computed are the dependences on the surface potential of the total charge and the capacitance of SCL Qsc(ψs) and Csc(ψ s) respectively. The characteristics obtained are found to be strongly affected by the existence of deep levels. An analysis is performed that could aid in a better understanding of interface states in InSb MIS structures which might have probably been confused with deep bulk levels.

Résumé
Dans cet article, on étudie l'influence des niveaux profonds en volume sur les propriétés de la couche de charge d'espace dans les structures MIS InSb. Les dépendances avec le potentiel de surface de la charge totale et de la capacité de la couche de charge d'espace, respectivement Q sc(ψs) et Csc(ψs), y sont traitées. Les caractéristiques obtenues sont fortement influencées par la présence de niveaux profonds. L'analyse effectuée dans la présente étude permet d'avoir une meilleure compréhension des états d'interface dans les structures MIS InSb, lesquels pourraient être probablement confondus avec les niveaux profonds en volume.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.

Key words
deep levels -- digital simulation -- III V semiconductors -- indium antimonide -- metal insulator semiconductor structures -- physics computing -- computer simulation -- space charge layer properties -- semiconductor deep bulk levels -- capacitance voltage characteristics -- surface potential -- total charge -- capacitance -- interface states -- InSb metal insulator semiconductor structures