Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 1273-1279 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:0198700220100127300

Commutations optiques ultra-rapides dans un film non-linéaire de silicium sur saphir

H. Chelli, A. Koster, N. Paraire, F. Pardo, H. Sauer, M. Carton et S. Laval

Institut d'Electronique Fondamentale, Université Paris XI, CNRS UA 22, Bâtiment 220, 91405 Orsay Cedex, France

Abstract
An intrinsic optical switching device, using the excitation of guided modes in a silicon on sapphire film is presented. This structure allows the observation of fast switching (a few hundred picoseconds). A theoretical analysis is presented which explains the experimental observations and allows to predict in which conditions bistability can be observed.

Résumé
Un dispositif original de commutation entièrement optique, utilisant l'excitation de modes guidés dans un film de silicium sur saphir est présenté. Cette structure a permis l'observation de commutations rapides (quelques centaines de picosecondes). Une analyse théorique est exposée qui permet d'expliquer les observations expérimentales et de définir les conditions d'utilisation permettant d'obtenir la bistabilité.

PACS
4265P - Optical bistability, multistability and switching.
4280W - Ultrafast optical techniques.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.
4110 - Optical materials.
4340 - Nonlinear optics and devices.

Key words
elemental semiconductors -- nonlinear optics -- optical bistability -- optical films -- sapphire -- silicon -- semiconductor -- ultrafast optical switching -- guided modes excitation -- nonlinear optical film -- intrinsic optical switching device -- theoretical analysis -- experimental observations -- bistability -- Si Al sub 2 O sub 3