Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 1451-1458 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:0198700220110145100

Propriétés des défauts de surface produits par recuit laser continu sur GaAs

G. Marrakchi¹, E. Rosencher², M. Gavand¹, G. Guillot¹ et A. Nouailhat<sup>1

1</sup>  Laboratoire de physique de la matière, Institut national des sciences appliquées de Lyon, 20, avenue Albert-Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France
²  CNS CNET, chemin du Vieux Chêne, B.P. 98, 38243 Meylan Cedex, France

Abstract
C. W. laser annealing on GaAs was performed using incident powers ranging from 0.5 Pm and 0.8 Pm. Pm being the melting power. DLTS results show that a trap continuum PL1 is induced in a thin oxyde layer as revealed by ellipsometry and SIMS. These defects have an interesting electrical field effect tentatively explained by a relaxation function of the electrical field.

Résumé
Des irradiations par faisceaux laser continu ont été faites sur GaAs dans une gamme de puissances comprises entre 0,5 et 0,8 Pm. Pm étant la puissance de fusion. Les résultats obtenus par DLTS montrent la formation à la surface d'un continuum de pièges notés PL1. Des expériences complémentaires effectuées par ellipsométrie et SIMS permettent de relier les pièges à des défauts dans une faible couche d'oxyde formée durant le traitement. Les expériences de DLTS et DLOS réalisées dans différentes conditions de polarisation s'interprètent par une relaxation de ces défauts sensibles au champ électrique.

PACS
6180B - Ultraviolet, visible and infrared radiation effects.
7320H - Surface impurity and defect levels: energy levels of adsorbed species.

Key words
deep level transient spectroscopy -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- laser beam annealing -- surface electron states -- semiconductor -- surface defects -- CW laser annealing -- DLTS -- trap continuum -- electric field effect -- relaxation function -- GaAs