Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 1, janvier 1988
Page(s) 71 - 77
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0198800230107100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 71-77 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:0198800230107100

Caractérisation de l'interface isolant InP formé en oxydation plasma par l'étude des transitoires de capacité DLTS et DDLTS

B. Lepley1, A. Bath1 et B. Bouchikhi2

1  C.L.O.E.S., Ecole Supérieure d'Electricité, 57000 Metz, France
2  LEPI-ESSTIN, 54500 Vandoeuvre-les-Nancy, France


Abstract
The interface between n type indium phosphide and its native oxide grown by a plasma bilayer technique has been studied with DLTS and DDLTS measurements in order to determine the energy distribution of the interface states in the upper part of the bandgap and the surface potential position as a function of the applied bias. Measurement of the capacitance transients on MIS structures allows to analyse the bandgap with an energy window of about 3 kT and to obtain the interface trap distribution. A discrete state appears with high concentration which is located at 0.46 eV below the conduction band. The surface potential has been determined in the depletion mode with a low level DLTS spectroscopy in agreement with double correlation DLTS experiments.


Résumé
L'interface (n) InP-oxyde natif obtenu par une technique bicouche a été étudié par DLTS et double DLTS dans le but de déterminer la répartition énergétique des états d'interface dans la partie supérieure de la bande interdite et la position du potentiel de surface en fonction de la tension appliquée à la structure MIS tunnel Au-Oxyde-InP. La mesure des transitoires de capacité sur la structure MIS permet d'explorer la bande interdite avec une fenêtre d'observation de largeur énergétique voisine de 3 kT et d'obtenir le spectre des états d'interface qui fait apparaître une contribution prépondérante d'un état discret en concentration élevée située à une profondeur de 0,46 eV sous la bande de conduction. La position du potentiel de surface a été déterminée en régime de déplétion par une spectroscopie DLTS à faible niveau et confirmée par double DLTS.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7320 - Electronic surface states.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.

Key words
deep level transient spectroscopy -- III V semiconductors -- indium compounds -- interface electron states -- metal insulator semiconductor structures -- semiconductor insulator boundaries -- surface potential -- interface -- DLTS -- DDLTS -- energy distribution -- interface states -- bandgap -- surface potential position -- applied bias -- capacitance transients -- MIS structures -- interface trap distribution -- discrete state -- depletion mode -- 0.46 eV -- InP InO