Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 3, mars 1988
Page(s) 251 - 255
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002303025100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 251-255 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:01988002303025100

Influence of indium on the dissociation of dislocations in GaAs at high temperature

M. Jimenez-Melendo1, A. Djemel1, J.P. Rivière1, J. Castaing1, C. Thomas2 et M. Duseaux2

1  Laboratoire de Physique des Matériaux, CNRS, Bellevue, 92195 Meudon Cedex, France
2  Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquée (LEP), B.P.15, 94451 Limeil-Brevannes Cedex, France


Abstract
Dislocations have been introduced in GaAs doped with indium, by plastic deformation between 773 K and 1 373 K. Transmission electron microscope observations have shown that indium increases the width of dissociation. This can explain the reduction of as-grown dislocations in In doped GaAs.


Résumé
Des dislocations ont été introduites dans GaAs dopé à l'indium par déformation plastique entre 773 K et 1 373 K. Des observations en microscopie électronique en transmission ont montré que l'indium augmente la largeur de dissociation. Cela permet d'expliquer la réduction de densité de dislocations de croissance dans GaAs dopé à l'indium.

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6220F - Deformation and plasticity.
8140L - Deformation, plasticity and creep.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- indium -- transmission electron microscope examination of materials -- semiconductor -- TEM -- dissociation -- dislocations -- plastic deformation -- 773 to 1373 K -- GaAs:In