Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 4, avril 1988
Page(s) 668 - 668
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002304066800
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 668-668 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:01988002304066800

A T.E.M. in situ study of dislocation glide in InSb (III-V compound)

M. Fnaiech, A. Couret et D. Caillard

Groupe de Déformation Plastique - Laboratoire d'Optique Electronique du CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, BP 4347, 31055 TOULOUSE CEDEX, France

Without abstract


PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6170L - Slip, creep, internal friction and other indirect evidence of dislocations.
6220F - Deformation and plasticity.

Key words
III V semiconductors -- indium antimonide -- slip -- transmission electron microscope examination of materials -- TEM -- alpha dislocations -- beta dislocations -- semiconductor -- dislocation glide -- microsamples -- screw type dislocations -- InSb

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