Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 5, mai 1988
Page(s) 726 - 726
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002305072600
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 726-726 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:01988002305072600

Recent developments in the study of the EL2 defect in GaAs

H.J. von Bardeleben et B. Pajot

Without abstract


PACS
7155E - III-V semiconductors.

Key words
Defect states -- Donor center -- Gallium arsenides -- Semiconductor materials

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