Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 5, mai 1988
Page(s) 809 - 816
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002305080900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 809-816 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:01988002305080900

Electron nuclear double resonance (ENDOR) spectroscopy of the EL2 defect in GaAs

B.K. Meyer

Universität Paderborn, Fachbereich Physik, Warburger Str. 100 A, D-4790 Paderborn, F.R.G.


Abstract
Optically detected electron nuclear double resonance (ODENDOR) experiments in semi-insulating GaAs show that the As-antisite ESR spectrum is due to an arsenic antisite-As interstitial pair. The interaction parameters and symmetry of the nearest and next nearest As-ligands and of the single interstitial As atom were analysed. From a quantitative interpretation of the quadrupole interaction parameters the place and charge state of the interstitial As can be inferred.


Résumé
L'étude du défaut EL2 dans GaAs semi-isolant par spectroscopie ENDOR détectée optiquement (ODENDOR) montre que ce défaut est dû à une paire d'antisite arsenic-interstitiel arsenic, AsGa-Asi. Les paramètres d'interaction hyperfine ainsi que la symétrie des premiers et deuxièmes voisins et de l'interstitiel ont été analysés. L'interprétation quantitative de l'interaction quadrupolaire permet de déduire le site et l'état de charge de l'interstitiel d'arsenic.

PACS
6170E - Other point defects.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7630M - EPR of colour centres and other defects.
7670D - Electron nuclear double resonance ENDOR condensed matter.

Key words
deep levels -- electron traps -- ENDOR -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- interstitials -- paramagnetic resonance of defects -- point defects -- semiconductor -- optically detected ENDOR -- EL2 defect -- ESR spectrum -- interstitial -- quadrupole interaction parameters -- GaAs