Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 6, juin 1988
Page(s) 1127 - 1134
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019880023060112700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 1127-1134 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:019880023060112700

Thermally stimulated currents in undoped and doped zinc phthalocyanine films

B. Boudjema, N. El-Khatib, M. Gamoudi, G. Guillaud et M. Maitrot

Laboratoire d'Electronique des Solides, Université Claude Bernard, Lyon I, 43 Boulevard du 11 Novembre 1918, 69622 Villeurbanne Cedex, France


Abstract
The thermally stimulated current method is used to study the trap controlled carrier transport in Zinc Phthalocyanine films (1.2 μ thick) undoped and n and p doped. A Poole Frenkel mechanism is pointed out in a given range (0.5, 2 V) of applied voltage. Some AC curves in a large frequency and temperature ranges were also recorded. A discussion of the experimental data is given.


Résumé
La méthode des courants thermostimulés est utilisée pour étudier le transport contrôlé par le piégeage dans les films de Phtalocyanine de Zinc non dopés et dopés. Un mécanisme de Poole Frenkel est mis en évidence dans un intervalle de tensions appliquées comprises entre 0,5 et 2 V. On a simultanément étudié la réponse diélectrique de ces échantillons dans un intervalle étendu de fréquences. Une discussion des résultats expérimentaux est donnée.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
7220H - High field transport and nonlinear effects semiconductors/insulators.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7280L - Electrical conductivity of organic compounds and polymers.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.

Key words
electron traps -- hole traps -- organic semiconductors -- Poole Frenkel effect -- semiconductor doping -- semiconductor thin films -- thermally stimulated currents -- semiconductor -- thermally stimulated current method -- trap controlled carrier transport -- zinc phthalocyanine films -- Poole Frenkel mechanism