Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 6, juin 1988
Page(s) 1135 - 1138
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019880023060113500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 1135-1138 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:019880023060113500

Cinétique de croissance et propriétés électriques des couches de silice obtenues sous irradiation infrarouge

G. Sarrabayrouse et A. Guedj

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7 avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France


Abstract
The growth kinetics and the electrical properties of silica layers obtained under infrared illumination have been studied. The growth rate is identical to that of thermal oxide layers in the range 950 °C-1 050 °C. Furthermore their electrical properties compare favorably with those of thermal oxide layers.


Résumé
La cinétique de croissance ainsi que les propriétés électriques des couches de silice obtenues sous illumination IR ont été étudiées. Il apparaît que la vitesse de croissance est identique à celle d'une couche obtenue par oxydation thermique dans la gamme de température 950-1 050 °C. De plus, leurs propriétés électriques se comparent favorablement à celles de leurs homologues thermiques.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7360H - Electrical properties of insulators thin films/low dimensional structures.
2550E - Surface treatment semiconductor technology.

Key words
insulating thin films -- silicon compounds -- growth kinetics -- electrical properties -- silica layers -- infrared illumination -- thermal oxide layers -- SiO sub 2 layers