Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 7, juillet 1988
Page(s) 1221 - 1228
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019880023070122100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 1221-1228 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:019880023070122100

Structure MESFET AsGa bigrille distribuée. Performances potentielles en amplification

C. Byl, Y. Crosnier et G. Salmer

Centre Hyperfréquences et Semiconducteurs, U.A. 287 C.N.R.S., Bât. P4, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres Artois, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France


Abstract
We present a study on the amplification capabilities of a GaAs distributed dual-gate MESFET structure, with the gate G1 as input and the gate G2 as output, the drain electrode being R.F. grounded. A model, based on the Spice program, allows us to investigate, successively, the influences of the termination impedances, the width, the losses and the bias conditions of the gate lines. A comparison with the single gate distributed structure is reported. Lastly, the device feasability is demonstrated through measurements carried out from a first realization.


Résumé
Nous présentons une étude des potentialités en amplification d'une structure MESFET AsGa bigrille distribuée, avec entrée sur la grille G1, sortie sur la grille G2, le drain étant découplé à la masse. Une modélisation, utilisant le logiciel Spice, permet d'examiner, successivement, les influences des impédances terminales, du développement, des pertes et de la polarisation des lignes de grilles. Une comparaison avec la structure monogrille distribuée est donnée. Enfin, la faisabilité du dispositif amplificateur est établie par des essais pratiqués sur une première réalisation.

PACS
1220 - Amplifiers.
1350F - Solid state microwave circuits and devices.
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.
2560S - Other field effect devices.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- microwave amplifiers -- Schottky gate field effect transistors -- semiconductor device models -- solid state microwave devices -- gate line width -- gate line loss -- amplification capabilities -- distributed dual gate MESFET -- model -- Spice program -- termination impedances -- bias conditions -- GaAs