Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 7, juillet 1988
Page(s) 1317 - 1323
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019880023070131700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 1317-1323 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:019880023070131700

Nanolithography by high energy electron beam

H. Camon, J.P. Martinez et J.L. Balladore

Laboratoire d'Optique Electronique du CNRS, lié par Convention à l'Université Paul Sabatier, 29 rue Jeanne Marvig, BP 4347 31055 Toulouse Cedex, France


Abstract
The theoretical advantages of high energy beam (E0 = 100 keV) in electron lithography in the nanometer range (< 0.1 μm) are discussed. Using a Monte Carlo model, the different contributions at energy deposit in the PMMA resist are separated and the influence of each of them on the final resolution is analysed.


Résumé
L'intérêt de l'utilisation de hautes énergies (E0 = 100 keV) en lithographie par électrons dans le domaine nanométrique (< 0,1 μm) est discuté. A partir d'un modèle de Monte Carlo, on met en évidence les contributions au dépôt d'énergie dans la résine lithographique (PMMA) des différents processus : électrons primaires, électrons rétrodiffusés et électrons secondaires. Le rôle de chacun d'eux est analysé, ainsi que son influence sur la résolution finale du tracé.

PACS
0240G - Monte Carlo methods.
2550G - Lithography semiconductor technology.

Key words
electron beam lithography -- Monte Carlo methods -- high energy electron beam -- electron lithography -- nanometer range -- Monte Carlo model -- PMMA resist -- resolution -- 100 keV -- 0.1 micron