Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 1, janvier 1989
Page(s) 57 - 63
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240105700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 57-63 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:0198900240105700

Mécanismes de dérive du courant d'obscurité sur des photodiodes GaInAs/InP planar passivées par SiNx

F. Ducroquet1, G. Guillot1, A. Nouailhat2 et J.C. Renaud3

1  Laboratoire de Physique de la Matière (UA 358), INSA de Lyon, 20 avenue Albert-Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France
2  CNET-CNS, Chemin du vieux chêne, 38243 Meylan Cedex, France
3  CNET, Laboratoire de Bagneux, 196 avenue Henri-Ravera, 92220 Bagneux, France


Abstract
For fixed reverse bias voltage, two dark current drift phenomena are observed in GaInAs/InP PIN photodiodes, passivated by silicon nitride : 1) at room temperature, a current increase occurs in time ; 2) at low temperature ( T < 200 K), a current decrease appears. These drifts, which lead to hysteresis in reverse current-voltage characteristics are attributed to surface effects, due to passivation technique.


Résumé
Deux phénomènes de dérives du courant d'obscurité sous polarisation inverse fixe sont observés sur des photodiodes PIN GaInAs/InP passivées par nitrure de silicium : 1) à température ambiante, apparaît une augmentation du courant en fonction du temps ; 2) à basse température (T < 200 K), une diminution de celui-ci. Ces dérives, entraînant des phénomènes d'hystérésis dans les caractéristiques inverses courant-tension, sont associées à des effets de surface, dus à la technique de passivation.

PACS
4250 - Photoelectric devices.
2550E - Surface treatment semiconductor technology.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- indium compounds -- p i n diodes -- passivation -- photodiodes -- silicon compounds -- planar photodiodes -- dark current drift -- PIN photodiodes -- hysteresis -- current voltage characteristics -- surface effects -- InGaAsP InP -- SiN sub x