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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 1, janvier 1989
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| Page(s) | 79 - 81 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240107900 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 79-81 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:0198900240107900
Groupe de Physique des Solides de l'ENS, 24 rue Lhomond, 75005 Paris, France
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
2530B - Semiconductor junctions.
Key words
carrier mobility -- semiconductor quantum wells -- semiconductor -- low temperature ohmic mobility -- narrow quantum wells
DOI: 10.1051/rphysap:0198900240107900
Mobilité des puits quantiques étroits
G. Bastard, C. Delalande, Y. Guldner et M. VoosGroupe de Physique des Solides de l'ENS, 24 rue Lhomond, 75005 Paris, France
Abstract
We report on low temperature ohmic mobility calculations in narrow quantum wells.
Résumé
Nous présentons les résultats du calcul de la mobilité ohmique à basse température pour des puits quantiques étroits.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
2530B - Semiconductor junctions.
Key words
carrier mobility -- semiconductor quantum wells -- semiconductor -- low temperature ohmic mobility -- narrow quantum wells