Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 3, mars 1989
Page(s) 369 - 374
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002403036900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 369-374 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002403036900

Etude de la passivation de l'InP-n en plasmas RF et multipolaire d'oxygène

M. Belmahi1, 2

1  Laboratoire de Physique des Milieux Ionisés (C.N.R.S. U.A. 835), Université de Nancy I, B.P. 239, 54506 Vandoeuvre Les Nancy, France
2  Laboratoire d'Electronique et de Physique des Interfaces, E.S.S.T.I.N., 54500 Vandoeuvre Les Nancy, France


Abstract
InP is at present one of the most studied among the III-V compounds. However the development of microelectronics based on this compound is hindered due to difficulties in the growth of an isolant film at the InP surface to stabilize its electrical properties. We have made a comparative study of InP oxide film obtained in RF or multipolar plasmas and we have characterized these plasmas. For the same plasma density we obtain 2 to 4 higher growth velocity and lower dispersion in the C (V ) characteristics at low frequency by oxidation in a multipolar plasma with respect to a RF plasma.


Résumé
L'InP est un des composés III-V les plus étudiés actuellement, toutefois le développement de son utilisation en microélectronique est limité par les difficultés rencontrées dans la formation d'une couche isolante à sa surface pour stabiliser les propriétés électriques de ce matériau. Nous avons réalisé une étude comparative entre des oxydes obtenus en plasmas RF et multipolaire ainsi qu'une caractérisation des plasmas correspondants. A densité égale, l'oxydation en plasma multipolaire donne une vitesse de croissance 2 à 4 fois plus grande et une plus faible dispersion des courbes C (V ) à basse fréquence.

PACS
8160C - Surface treatment and degradation in semiconductor technology.
5240H - Solid state plasma interactions.
5225L - Plasma temperature and density.

Key words
III V semiconductors -- indium compounds -- plasma wall interactions -- semiconductor -- passivation -- multipolar plasmas -- oxide film -- plasma density -- RF plasma -- InP