Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 4, avril 1989
Page(s) 447 - 451
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002404044700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 447-451 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002404044700

Dopage béryllium de couches InGaAs élaborées par épitaxie jet moléculaire : étude de la compensation

A. Roizes1, J.P. David1, A. Lecorre2, J. Caulet2, M. Gauneau2, S. Loualiche2, H. L'Haridon2 et D. Lecrosnier2

1  ONERA, CERT, DERTS, B.P. 4025, 31055 Toulouse Cedex, France
2  CNET, Lannion B, route de Trégastel, 22301 Lannion, France


Abstract
Be doped InxGa1-xAs epitaxial layers, with concentration level from 1016 to 5 x 1019 at/cm3, have been grown lattice matched on InP substrate by molecular beam epitaxy. Room temperature Hall effect measurements, indicate low mobility for P type samples while for low Be doping the conduction can be N type. Secondary Ion Mass Spectroscopy analysis shows that the electrical behavior is linked to the oxygen to beryllium concentration ratio in the layer. The temperature Hall effect measurements show that a surface or an interface N type layer can be created, depending on the oxygen to beryllium ratio concentration and is responsible for the apparent low Hall mobilities.


Résumé
Des couches épitaxiales InxGa1-xAs, élaborées en accord paramétrique sur substrat InP par la technique d'épitaxie par jets moléculaires ont été dopées avec du béryllium de 1016 à 5 × 1019 at/cm3. D'après les mesures électriques, les couches de type P sont fortement compensées et à faible niveau de dopage la conductivité peut être de type N. Les analyses d'impuretés par sonde ionique montrent que l'oxygène est responsable de ce comportement. Les mesures d'effet Hall, en fonction de la température, ont montré que suivant le niveau d'oxygène, il pouvait exister une zone N en surface ou à l'interface avec le substrat InP semiisolant, responsable des faibles mobilités de Hall mesurées.

PACS
8115G - Vacuum deposition.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
6170T - Doping and implantation of impurities.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
0510D - Epitaxial growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2550B - Semiconductor doping.

Key words
beryllium -- carrier mobility -- gallium arsenide -- Hall effect -- III V semiconductors -- indium compounds -- molecular beam epitaxial growth -- secondary ion mass spectra -- semiconductor doping -- semiconductor epitaxial layers -- semiconductor growth -- SIMS -- semiconductor -- compensation -- epitaxial layers -- molecular beam epitaxy -- P type -- Be doping -- conduction -- N type -- Hall mobilities -- In sub x Ga sub 1 x As:Be