Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 6, juin 1989
Page(s) 613 - 617
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002406061300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 613-617 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002406061300

Photoconductivity in thin films of a-Ga40SeXTe60-X

A.S. Maan1, D.R. Goyal1 et A. Kumar2

1  Physics Department, Maharshi Dayanand University, Rohtak-124 001, India
2  Department of Physics, Harcourt Butler Technological Institute, Kanpur-208 002, India


Abstract
Present communication reports on photoconductivity measurements in thin films of Ga40SexTe60-x glasses (x = 20, 30, 40). Temperature dependence of steady state photocurrent and dark current show that dark and steady state photoconductivity are activated processes. Intensity dependence of photocurrent reveals about power law dependence of photocurrent on incident radiation. Also incorporated are the transient photoconductivity measurements on all the samples. The decay of photocurrent after the cessation of illumination has been found to be exponential in all the glasses. The decrease in Iph/Id can be explained in terms of the increasing no. of defect states with increasing Te content.


Résumé
Cet article présente des mesures de photoconductivité dans des films minces de verres Ga40SexTe60-x (x = 20, 30, 40). La dépendance en température du photocourant à l'état stationnaire et du courant d'obscurité montrent que les photoconductivités correspondantes sont activées. L'intensité du photocourant montre une dépendance en loi de puissance en fonction de la radiation incidente. On a aussi effectué des mesures de photoconductivité transitoires sur tous les échantillons. On trouve que la décroissance du photocourant après coupure de l'irradiation est exponentielle dans tous les verres. La décroissance de Iph/Id peut être expliquée par la croissance du nombre de défauts avec la concentration de Te.

PACS
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
6470P - Glass transitions.
7280N - Electrical conductivity of amorphous and glassy semiconductors.
4210 - Photoconducting materials and properties.
2520F - Amorphous and glassy semiconductors.

Key words
chalcogenide glasses -- gallium compounds -- glass transition glasses -- photoconductivity -- selenium compounds -- semiconductor thin films -- tellurium compounds -- chalcogenide glass -- temperature dependence -- intensity dependence -- glass transition temperature -- semiconductor -- photoconductivity measurements -- steady state photocurrent -- dark current -- power law dependence -- transient photoconductivity -- defect states -- Ga sub 40 Se sub x Te sub 60 x thin film