Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 649-658 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002406064900

Etude des effets parasites affectant le fonctionnement des transistors à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel

S. Mottet¹, J.M. Dumas¹, J.E. Viallet¹, A. Belhadj¹ et P. Audren<sup>2

1</sup>  Centre National d'études des Télécommunications, 22301 Lannion Cedex, France
²  Institut Universitaire de Technologie, 22302 Lannion Cedex, France

Abstract
A study of the parasitic effects detrinental to the operation of two-dimensional electron gas field effect transistors (HEMTs) has been carried-out. These effects are strongly process-dependent. An experimental investigation and numerical simulations of the device permit the physical origin of these effects to be demonstrated : the residual doping level of the GaAs layer is a main parameter. We equally show that the epilayer growth parameters strongly influence on these effects.

Résumé
Nous avons mené une étude des effets parasites présentés par les transistors à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel (HEMT). Ces effets sont étroitement liés à la technologie d'élaboration des composants. L'étude expérimentale, couplée à la simulation numérique du dispositif à permis de montrer l'origine physique de ces effets : le dopage résiduel de la couche de GaAs y joue un rôle prépondérant. L'étude montre également la sensibilité de ces effets aux paramètres technologiques de croissance des couches.

PACS
2560S - Other field effect devices.

Key words
aluminium compounds -- gallium arsenide -- high electron mobility transistors -- III V semiconductors -- molecular beam epitaxial growth -- numerical methods -- semiconductor epitaxial layers -- semiconductor growth -- molecular beam epitaxy -- semiconductor -- TEGFET -- parasitic effects -- two dimensional electron gas field effect transistors -- HEMTs -- numerical simulations -- residual doping level -- epilayer growth parameters -- GaAs AlGaAs GaAs