Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 7, juillet 1989
Page(s) 711 - 720
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002407071100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 711-720 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002407071100

Caractérisation par diffraction X des superréseaux GaAlAs-GaAs. Importance des techniques et de la procédure utilisées

P. Auvray, M. Baudet, J. Caulet et A. Regreny

Centre National d'Etudes des Télécommunications, LAB/OCM/MPA, Route de Trégastel, 22301 Lannion Cedex, France


Abstract
X-ray diffraction techniques are at the present time widely used to determine the structural parameters of artificial semiconductor based superlattices (SL). They can also reveal most of the peculiarities, or « defects », of these structures, namely lateral and/or vertical variations of composition and thicknesses, dislocations, substrate warpage and misorientation provided the right set-ups and procedures are used. These defects and their effects on the X-ray diagrams are described together with the most adequate experiments to bring them into view.


Résumé
Les techniques de diffraction X sont à l'heure actuelle largement répandues pour déterminer les paramètres structuraux des superréseaux (SR) à base de semi-conducteurs. Elles permettent en outre de détecter certaines particularités de ces structures regroupées sous le terme « défauts » tels que gradients latéraux de période et de composition, fluctuations d'épaisseur dans la direction de la croissance, dislocations, courbure et désorientation du substrat, à condition d'utiliser les appareils et les procédures adaptés. Ces défauts et leurs effets sur les diagrammes de rayons X sont décrits ainsi que les moyens permettant de les mettre en évidence.

PACS
6865 - Low dimensional structures: growth, structure and nonelectronic properties.

Key words
aluminium compounds -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- semiconductor superlattices -- X ray diffraction examination of materials -- X ray diffraction -- semiconductor -- defects -- structures -- composition -- thicknesses -- dislocations -- substrate warpage -- misorientation -- GaAlAs GaAs superlattices