Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 8, août 1989
Page(s) 779 - 793
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002408077900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 779-793 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002408077900

Dislocation multiplication in GaAs : inhibition by doping

A. Djemel1, J. Castaing1, N. Burle-Durbec2 et B. Pichaud2

1  Laboratoire de Physique des Matdriaux C.N.R.S. Bellevue, 92195 Meudon Cedex, France
2  Laboratoire de Physique Cristalline, Unité associée au C.N.R.S. n° 797, Faculté des Sciences de St-Jérôme, 13397 Marseille Cedex 13, France


Abstract
The crystal quality improvement by electrical or isoelectronic doping of L.E.C. grown GaAs crystals is related to the thermoelastic modelling of stresses during growth. The dislocation structure in as-grown and annealed crystals is deduced, in particular with the help of the results of plastic deformation. The addition of various elements of the columns II-III-IV-V-VI in GaAs is considered and its influence on the establishment of the dislocation substructure is discussed.


Résumé
L'amélioration de la qualité cristalline par dopage électrique ou isoélectronique des cristaux de GaAs obtenus par la méthode L.E.C. est reliée aux modèles thermoélastiques donnant les contraintes en cours de croissance. On en déduit les structures de dislocations dans les cristaux bruts de croissance et recuits, en particulier A la lumière des r6sultats de d6formation plastique. L'addition de diff6rents éléments des colonnes II-III-IV-V-VI dans GaAs est envisagée et son influence sur les mécanismes d'établissement de la sousstructure de dislocations est discutée.

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6150C - Physics of crystal growth.
6170T - Doping and implantation of impurities.
8110F - Crystal growth from melt.

Key words
crystal growth from melt -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- plastic deformation -- semiconductor doping -- semiconductor growth -- thermal stresses -- semiconductor -- annealing -- dislocation multiplication -- doping -- crystal quality -- LEC -- thermoelastic modelling -- stresses -- growth -- dislocation structure -- dislocation substructure -- GaAs