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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 9, septembre 1989
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| Page(s) | 871 - 876 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002409087100 | |
DOI: 10.1051/rphysap:01989002409087100
Annealing and temperature dependences of the electrical activity of grain boundaries in germanium observed by SENVEBIC techniques
N. Tabet1, C. Monty1 et Y. Marfaing21 Laboratoire de Physique des Matériaux, C.N.R.S., 1 place A. Briand, 92195 Meudon Cedex, France
2 Laboratoire de Physique du Solide, C.N.R.S., 1 place A. Briand, 92195 Meudon Cedex, France
Abstract
The electrical activity of grain boundaries in polycrystalline germanium has been studied from SEM/EBIC observations. The effect of two successive thermal treatments (T = 810 °C, t = 2 h and T = 400 °C, t = 50 h) has been examined. Measurements of EBIC profiles across unactive grain boundaries were carried out at different temperatures between 140 K and 300 K and for several injection currents. The inversion of contrast observed at high injection level and low temperature has been analysed in terms of a trapping/recombination transition on a near valence band level (Et = Ev + 0.03 eV).
Résumé
L'activité électrique des joints de grains dans le germanium polycristallin a été étudiée par la technique SEM/EBIC. L'effet de traitements thermiques successifs (T = 810 °C, t = 2 h et à T = 400 °C, t = 50 h) a été analysé. Des profils de courant EBIC à travers des joints de grains inactifs ont été enregistrés à différentes températures entre 140 et 300 K et pour plusieurs valeurs de courant primaire. Une inversion de contraste a été observée pour les niveaux d'injection élevés et à basses températures. Cette observation a été associée à une transition de processus piégeage/recombinaison sur un niveau Et proche de la bande de valence (E t = Ev + 0,03 eV).
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
6170N - Grain and twin boundaries.
Key words
annealing -- EBIC -- electron traps -- electron hole recombination -- elemental semiconductors -- germanium -- scanning electron microscope examination of materials -- semiconductor -- temperature dependences -- electrical activity -- grain boundaries -- SEM EBIC -- polycrystalline -- thermal treatments -- injection currents -- trapping recombination transition -- Ge