HTTP_Request2_Exception Unable to connect to tcp://think-ws.ca.edps.org:85. Error: php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Nom ou service inconnu Annealing and temperature dependences of the electrical activity of grain boundaries in germanium observed by SENVEBIC techniques | Revue de Physique Appliquée
Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 9, septembre 1989
Page(s) 871 - 876
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002409087100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 871-876 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002409087100

Annealing and temperature dependences of the electrical activity of grain boundaries in germanium observed by SENVEBIC techniques

N. Tabet1, C. Monty1 et Y. Marfaing2

1  Laboratoire de Physique des Matériaux, C.N.R.S., 1 place A. Briand, 92195 Meudon Cedex, France
2  Laboratoire de Physique du Solide, C.N.R.S., 1 place A. Briand, 92195 Meudon Cedex, France


Abstract
The electrical activity of grain boundaries in polycrystalline germanium has been studied from SEM/EBIC observations. The effect of two successive thermal treatments (T = 810 °C, t = 2 h and T = 400 °C, t = 50 h) has been examined. Measurements of EBIC profiles across unactive grain boundaries were carried out at different temperatures between 140 K and 300 K and for several injection currents. The inversion of contrast observed at high injection level and low temperature has been analysed in terms of a trapping/recombination transition on a near valence band level (Et = Ev + 0.03 eV).


Résumé
L'activité électrique des joints de grains dans le germanium polycristallin a été étudiée par la technique SEM/EBIC. L'effet de traitements thermiques successifs (T = 810 °C, t = 2 h et à T = 400 °C, t = 50 h) a été analysé. Des profils de courant EBIC à travers des joints de grains inactifs ont été enregistrés à différentes températures entre 140 et 300 K et pour plusieurs valeurs de courant primaire. Une inversion de contraste a été observée pour les niveaux d'injection élevés et à basses températures. Cette observation a été associée à une transition de processus piégeage/recombinaison sur un niveau Et proche de la bande de valence (E t = Ev + 0,03 eV).

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
6170N - Grain and twin boundaries.

Key words
annealing -- EBIC -- electron traps -- electron hole recombination -- elemental semiconductors -- germanium -- scanning electron microscope examination of materials -- semiconductor -- temperature dependences -- electrical activity -- grain boundaries -- SEM EBIC -- polycrystalline -- thermal treatments -- injection currents -- trapping recombination transition -- Ge